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ROHM-TSMC, 차량용 질화 갈륨(GaN) 기술 개발 협업

작성일
2025-01-03
조회수
115

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일본 전자 부품 제조사 ROHM은 대만 파운드리 업체 TSMC와 EV용 질화 갈륨(GaN) 전력 장치를 개발 및 양산하기 위한 전략적 파트너십을 체결했다. 이번 파트너십은 ROHM의 기기 개발 기술과 TSMC가 보유한 실리콘 웨이퍼에 GaN 소재 박막을 증착하는 ‘GaN-on-silicon’ 공정 기술 개발을 포함한다.

GaN 전력 장치는 현재 AC 어댑터와 서버 전력 공급 등 소비자와 산업 분야에 사용되고 있다. TSMC는 차량 탑재형 EV 충전기와 인버터 등 차량 용도로 장점을 발휘할 가능성이 있는 GaN 기술을 지원한다.

이번 파트너십은 양사가 진행했던 GaN 전력 장치 협업을 기초로 한다. 2023년 ROHM은 TSMC의 650V GaN 고전자이동도트랜지스터(HEMT)를 채택했다. 이 장치는 45W AC 어댑터 C4 Duo 등 EcoGaN 시리즈의 일부로서 소비자 및 산업용 기기에서 활용 사례가 점차 증가하고 있다.

2018년 ROHM은 전문 기업 GaN Systems와 파워 일렉트로닉스 개발 및 신규 자동차 활용 연구를 위한 파트너십을 체결했다. 그러나 이후 GaN Systems는 독일 반도체 제조사 Infineon에 인수되었다.

ROHM 전무 이사 Katsumi Azuma는 “GaN 기기는 고주파 작동을 지원하며 소형화와 에너지 절감에 크게 기여할 것으로 기대된다”고 말했다. TSMC 특수 기술 사업 개발 담당 수석 이사 Chien-Hsin Lee는 “TSMC의 반도체 제조 전문성과 ROHM의 전력 장치 설계 역량을 결합하여 GaN 기술과 EV 실현 수준의 한계를 뛰어넘기 위해 노력할 것”이라고 덧붙였다.

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