NXP Semiconductors는 16나노미터(nm) FinFET 공정 기술을 이용하는 차량용 MRAM(자성 물질 및 자성 랜덤 액세스 메모리)를 업계 최초로 출시하기 위해 TSMC와 협업을 진행하고 있다. (※NXP Semiconductors N.V.:2006년 필립스에서 분사되어 설립된 네덜란드 굴지의 비메모리 반도체 기업)

이번 협업은 자동차 제조사들이 소프트웨어 정의 차량(SDV)으로 전환하는 시점에 발표되었다. SDV는 단일 하드웨어 플랫폼으로 여러 세대의 소프트웨어 업그레이드를 지원할 수 있어야 한다. NXP의 고성능 차량용 프로세서 S32와 16nm FinFET 기술을 사용하는 빠르고 신뢰할 수 있는 차세대 비휘발성 메모리를 통합하면 이러한 전환을 지원하기 위해 필요한 하드웨어 플랫폼을 제공할 수 있다.

MRAM은 3초 이내에 코드 20MB를 업데이트할 수 있는데, 기존 플래시 메모리의 경우 이 작업에 약 1분이 소요된다. 결과적으로 소프트웨어 업데이트와 관련된 지연 시간은 최소화되고 자동차 제조사들은 긴 모듈 프로그래밍 시간에서 발생하는 병목 현상을 제거할 수 있다. 아울러 MRAM은 차량 운행 조건(mission profile)에서 신뢰도가 높은 기술로서 업데이트 사이클 최대 1백만회를 수행하며, 플래시 및 기타 신진 메모리 기술 대비 10배 높은 내구성 수준을 제공한다.

자동차 제조사들은 SDV를 통해 무선(OTA) 업데이트로 새로운 승차감, 안전성, 편의성 기능을 출시하여 차량 수명을 연장하고 기능성과 매력, 수익성을 제고할 것이다. 소프트웨어 기반 기능이 차량에서 더욱 보편화되면서 업데이트 빈도도 증가할 것으로 예상되어 MRAM의 속도와 강건성이 중요해질 것이다.

MRAM에 내장된 TSMC의 16FinFET 기술은 사이클 1백만회를 수행하는 내구성과, 솔더 리플로우(solder reflow) 공정 지원, 150℃에서 20년 간 데이터 유지 능력 등 차량 용도의 요구사항을 뛰어넘는 성능을 제공한다.

TSMC의 사업 개발 담당 수석 부사장 Kevin Zhang 박사는 “NXP의 혁신 인력들은 항상 새로운 처리 기술, 특히 까다로운 차량용 용도 기술에 관한 TSMC의 잠재력을 빠르게 인식했다”며, “차세대 소프트웨어 정의 차량을 지원하기 위해 NXP의 S32 플랫폼에 당사의 선도적인 MRAM 기술을 적용할 수 있어서 기쁘게 생각한다”고 설명했다.

NXP의 부사장 겸 차량 데이터 처리 총괄 책임자 Henri Ardevol은 “NXP는 TSMC와 수십년 간 성공적인 협업을 진행하고 있다”며, “MRAM은 NXP의 S32 차량용 솔루션 포트폴리오에 이은 또 다른 혁신으로서 차세대 차량 아키텍처를 지원한다”고 언급했다.